Пленки из нитрида кремния электронного качества изготавливаются с использованием технологии химического осаждения из паровой фазы или технологии химического осаждения из паровой фазы:
3 SiH4 (г) NH 4 NH3 (г) → Si3N4 (с) + 12 H2 (г)
3 SiCl4 (г) NH 4 NH3 (г) → Si3N4 (с) + 12 HCl (г)
3 SiCl2H2 (г) NH 4 NH3 (г) → Si3N4 (s) + 6 HCl (г) + 6 H2 (г)
Если нитрид кремния должен быть нанесен на полупроводниковую подложку, существует два метода:
1. Использовать технологию химического осаждения из паров низкого давления при относительно высокой температуре с использованием вертикальной или горизонтальной трубчатой печи.
2. Технология плазменного химического осаждения из паровой фазы осуществляется в условиях относительно низкой температуры вакуума.
